Projekt je namenjen razvoju lastnega znanja in osnovnih tehnoloških postopkov, potrebnih za razvoj nanotehnologije v Sloveniji.. Z osvojitvijo tehnologije risanja vezij na nanometrski ravni je predvidena tudi demonstracija nekaterih osnovnih elementov, narejenih z nanolitografijo. Z elektronsko nanolitografijo rišemo precizne elektronske kontakte, s katerimi lahko v povezavi z AFM mikroskopijo merimo prevodnosti objektov velikosti tudi pod deset nanometrov. Tehnološki izziv projekta predstavlja predvsem izgradnja ustrezne aparture za risanje vezij z elektronskim snopom, ki zaradi valovne dolžine elektronov omogoča bistveno večjo resolucijo kot jo dovoli fotolitografija, osvojitev tehnologije samega litografskega postopka in demonstracija uporabnosti tehnologije za izdelavo različnih naprav podpore ipd.

 

LPKF

kontaktna oseba:

dr. Boštjan Podobnik

bostjan.podobnik@lpkf.si

05 920 8851

 

Udeležba podjetja LPKF Laser & Elektronika d.o.o. je ključnega pomena za izvedbo projekta Nanoelektronika in naprave za nanotehnologijo, saj zagotavlja razvoj cenovno dostopnih in visoke specificiranih naprav za elektronsko risanje. Podjetje LPKF že izdeluje podobne naprave za prototipsko risanje s pomočjo laserja, kar pomeni obvladovanje tržišča, tehnologije krmiljenja, programske opreme. V okviru projekta se razvija krmilna elektronika za vodenje elektronskega snopa preko sistema elektronskega vezja, programska oprema za sistemski računalnik, mehanska konstrukcija naprave ter sistem za natančno pozicioniranje nanoemiterja v fazi izdelave samega vira.

 

UNIVERZA V NOVI GORICI, Fakulteta za aplikativno naravoslovje

kontaktna oseba:

prof. dr. Gvido Bratina

gvido.bratina@p-ng.si

(05) 365 3500

 

Partner ima pomembno vlogo pri sintetzi in karakterizaciji začetnih faz rasti tankih organskih polprevodniških slojev. Laboratorij za epitaksijo in nanostrukture je vodilni slovenski laboratorij na področju površin organskih polprevodnikov. Izkušnje na področju sinteze in karakterizavije predstavljajo pomemben prispevek h kvaliteti partnerstva v projektu.

Interes partnerja je dostop do elektronske nanolitografije, pričakovani učinek pa možnost izdelave organskih tankoslojnih transistorjev

Center odličnosti: Nanoznanosti in nanotehnologija

 

Nanoelektronika in naprave za nanotehnologijo

Predstavitev projekta

Text Box: Projekt delno sofinancira Evropska unija (ESRR)

ENG

Na sliki je prikazano vezje, narejeno z elektronsko litografijo za uporabnika na področju optike. Razdalja med luknjami je 1,9 mikrometra, kar s tem postopkom zlahka dosežemo.

Shema meritve toka fotovzbujenih nosilcev naboja. Laserski pulz je osvetlil celotno aktivno plast organskega polprevodnika in s tem vzbudil nosilce naboja v celotni plasti. Izvorna elektroda (levo) je bila ozemljena, ponorna elektroda je bila na konstantnem električnem potencialu UDS. Vrata tranzistorja (n-Si) niso bila priklopljena.

Časovna odvisnost toka fotovzbujenih nosilcev naboja v organskem tranzistorju na efekt polja. Dolžina kanala je 1 mm. Organski polprevodnik je DH4T. Posamezne krivulje predstavljajo tok pri različnih napetostih med izvorom in ponorom.